RJK4006DPD-00#J2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK4006DPD-00#J2概述

N沟道 400V 8A

表面贴装型 N 通道 8A（Ta） 65W（Tc） MP-3A

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

立创商城:
N沟道 400V 8A

贸泽:
MOSFET Power MOSFET, 400V/8A, MP3A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 8A 3-Pin2+Tab MP-3A T/R

安富利:
POWER MOSFET, 400V/8A, MP3A

Win Source:
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A

RJK4006DPD-00#J2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 65W Tc

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK4006DPD-00#J2

型号： RJK4006DPD-00#J2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：N沟道 400V 8A