RB751V40T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

RB751V40T1概述

40 V肖特基二极管 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE

• Extremely Fast Switching Speed • Extremely Low Forward Voltage - 0.28 Volts Typ @ IF = 1 mAdc • Low Reverse Current • Lead-Free Plating

得捷:
DIODE SCHOTTKY 1MA 40V SOD323

艾睿:
Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin SOD-323 T/R

Chip1Stop:
Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin SOD-323 T/R

RB751V40T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 30.0 mA

电容 2.50 pF

输出电流 ≤30.0 mA

正向电压 370mV @1mA

极性 Standard

热阻 635℃/W RθJA

正向电压Max 370mV @1mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-323

外形尺寸

封装 SOD-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买RB751V40T1

型号： RB751V40T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：40 V肖特基二极管 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE

立即咨询

替代型号RB751V40T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RB751V40T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
RB751V40T1G 安森美	类似代替	RB751V40T1和RB751V40T1G的区别
RB751V40 安森美	功能相似	RB751V40T1和RB751V40的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

RB751V40T1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

RB751V40T1G

安森美

类似代替

RB751V40T1和RB751V40T1G的区别

RB751V40

安森美

功能相似

RB751V40T1和RB751V40的区别