RN1905,LF

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RN1905,LF概述

双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin US


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6


RN1905,LF中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1905,LF引脚图与封装图
RN1905,LF引脚图
RN1905,LF封装图
RN1905,LF封装焊盘图
在线购买RN1905,LF
型号: RN1905,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
替代型号RN1905,LF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN1905,LF

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

RN1905,LFCT

东芝

完全替代

RN1905,LF和RN1905,LFCT的区别

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