ROHM RQ3E070BNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 7A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
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# ROHM RQ3E070BNTB MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 410pF @15VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
封装 HSMT-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
