R6012ANJTL

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R6012ANJTL概述

LPTS N-CH 600V 12A

N-Channel 600V 12A Ta 100W Tc Surface Mount LPTS


得捷:
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS / N-Channel 600 V 12A Ta 100W Tc Surface Mount LPTS


R6012ANJTL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

下降时间 35 ns

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-83

外形尺寸

封装 SC-83

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R6012ANJTL
型号: R6012ANJTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:LPTS N-CH 600V 12A

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