RJK0855DPB

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RJK0855DPB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 8.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 6.4 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SC-100

外形尺寸

封装 SC-100

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: RJK0855DPB
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RENESAS  RJK0855DPB  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 8.2 mohm, 10 V

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