RDEF51H104Z0K1H03B参数规格_中文资料_数据手册PDF

RDEF51H104Z0K1H03B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.1 µF

容差 +80/-20%

电介质特性 Y5V

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -30 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP

引脚间距 5 mm

外形尺寸

高度 3.5 mm

直径 Φ4.0mm

封装 DIP

引脚间距 5 mm

厚度 2.5 mm

物理参数

材质 Y5V/-30℃~+85℃

工作温度 -30℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买RDEF51H104Z0K1H03B

型号： RDEF51H104Z0K1H03B

描述：MURATA RDEF51H104Z0K1H03B 多层陶瓷电容, RDE Series, 0.1 µF, +80%, -20%, Y5V, 50 V, 径向引线

替代型号RDEF51H104Z0K1H03B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RDEF51H104Z0K1H03B muRata 村田	当前型号	当前型号
RPEF51H104Z2K1A03B 村田	类似代替	RDEF51H104Z0K1H03B和RPEF51H104Z2K1A03B的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

RDEF51H104Z0K1H03B

muRata 村田

当前型号

RPEF51H104Z2K1A03B

村田

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