SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）
低功率 SRAM，R1LV 系列，
R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。
单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力
### SRAM（静态随机存取存储器）
得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
欧时:
### 低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 70ns 48-Pin TSOP-I Tray
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 70ns 48-Pin TSOP-I
Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 70ns 48-Pin TSOP-I Tray
Win Source:
IC SRAM 16MBIT 70NS 48TSOP
