RGP10MHE3/73

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RGP10MHE3/73概述

DIODE GEN PURP 1kV 1A DO204AL

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

• Cavity-free glass-passivated junction

• Fast switching for high efficiency

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in fast switching rectification of power supply, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive, and telecommunication.

RGP10MHE3/73中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.3V @1A

反向恢复时间 500 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AL

外形尺寸

封装 DO-204AL

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RGP10MHE3/73
型号: RGP10MHE3/73
描述:DIODE GEN PURP 1kV 1A DO204AL
替代型号RGP10MHE3/73
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RGP10MHE3/73

Vishay Semiconductor 威世

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RGP10M-E3/54

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完全替代

RGP10MHE3/73和RGP10M-E3/54的区别

RGP10M-E3/73

威世

类似代替

RGP10MHE3/73和RGP10M-E3/73的区别

1F7-TP

美微科

功能相似

RGP10MHE3/73和1F7-TP的区别

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