N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STU75N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet vi deepgate technology.
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STU75N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STU85N3LH5 意法半导体 | 类似代替 | STU75N3LLH6和STU85N3LH5的区别 |
STD90N02L-1 意法半导体 | 功能相似 | STU75N3LLH6和STD90N02L-1的区别 |