STU75N3LLH6

STU75N3LLH6图片1
STU75N3LLH6图片2
STU75N3LLH6图片3
STU75N3LLH6图片4
STU75N3LLH6图片5
STU75N3LLH6图片6
STU75N3LLH6图片7
STU75N3LLH6概述

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STU75N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet vi deepgate technology.


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK


STU75N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 75A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1690pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU75N3LLH6
型号: STU75N3LLH6
描述:N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STU75N3LLH6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STU75N3LLH6

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STU85N3LH5

意法半导体

类似代替

STU75N3LLH6和STU85N3LH5的区别

STD90N02L-1

意法半导体

功能相似

STU75N3LLH6和STD90N02L-1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台