
















STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
欧时:
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立创商城:
N沟道 100V 80A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB80NF10 系列 N 沟道 100 V 0.015 Ω 135 nC STripFET™ II 功率 MosFet- D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 12 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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