STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
立创商城:
N沟道 600V 14A
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 600 V 0.299 Ohm Falnge Mount FDmesh™ II MosFet - TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
600V,14A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1250pF @50VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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