STP15NM60ND

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STP15NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STP15NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB


立创商城:
N沟道 600V 14A


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600V, 14A FDMesh II


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP15NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 600 V 0.299 Ohm Falnge Mount FDmesh™ II MosFet - TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
600V,14A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220


STP15NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STP15NM60ND
型号: STP15NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STP15NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V
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