ON SEMICONDUCTOR SD05T1G. 二极管, TVS, VRWM:5V
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.7V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 350W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 24A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Specification Features: • Transient Voltage Suppressor Diode SOD−323 Diodes for ESD Protection • Steady State Power Routing of 200 mW • Peak Power − 350 W 820s • Low Leakage • Cathode Indicated by Polarity Band • Package Weight: 4.507 mg/wmt • Meets IEC61000−4−2 Level 4, 15 kV Air, 8 kV Contact • Meets IEC6100−4−4 Level 4, 40 A • Meets IEC6100−4−5 Lightning, 24 A • Meets 16 kV Human Body Model ESD Requirements • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 规格特性: •瞬态电压抑制SOD-323二极管用于ESD保护的稳态功率为200兆瓦的路由 •峰值电力 - 350 W(820s) •低漏 •负极指示的极性频带 •包装重量:4.507毫克/ WMT •符合IEC61000-4-2第4级,15 kV(空气),8 kV(联系) •符合IEC6100-4-4第4级,40 A •符合IEC6100-4-5(闪电),24 A •会见16 kV人体模型ESD要求 •无铅包可用
额定电压DC 5.00 V
工作电压 5.00 V
电容 350 pF
额定功率 350 W
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 350 W
钳位电压 14.5 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 7.3 V
脉冲峰值功率 350 W
最小反向击穿电压 6.2 V
击穿电压 6.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
长度 1.8 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOD-323
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 通信与网络, 工业, 医用, Medical, Computers & Computer Peripherals, 汽车级, -, Communications & Networking, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SD05T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SD05.TCT Semtech Corporation | 功能相似 | SD05T1G和SD05.TCT的区别 |
CDSOD323-T12 伯恩斯 | 功能相似 | SD05T1G和CDSOD323-T12的区别 |
PESD12VS1UA 恩智浦 | 功能相似 | SD05T1G和PESD12VS1UA的区别 |