SD05T1G

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SD05T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  SD05T1G.  二极管, TVS, VRWM:5V

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.7V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 350W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 24A 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Specification Features: • Transient Voltage Suppressor Diode SOD−323 Diodes for ESD Protection • Steady State Power Routing of 200 mW • Peak Power − 350 W 820s • Low Leakage • Cathode Indicated by Polarity Band • Package Weight: 4.507 mg/wmt • Meets IEC61000−4−2 Level 4, 15 kV Air, 8 kV Contact • Meets IEC6100−4−4 Level 4, 40 A • Meets IEC6100−4−5 Lightning, 24 A • Meets 16 kV Human Body Model ESD Requirements • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 规格特性: •瞬态电压抑制SOD-323二极管用于ESD保护的稳态功率为200兆瓦的路由 •峰值电力 - 350 W(820s) •低漏 •负极指示的极性频带 •包装重量:4.507毫克/ WMT •符合IEC61000-4-2第4级,15 kV(空气),8 kV(联系) •符合IEC6100-4-4第4级,40 A •符合IEC6100-4-5(闪电),24 A •会见16 kV人体模型ESD要求 •无铅包可用

SD05T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 5.00 V

工作电压 5.00 V

电容 350 pF

额定功率 350 W

电路数 1

针脚数 2

耗散功率 350 W

钳位电压 14.5 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 7.3 V

脉冲峰值功率 350 W

最小反向击穿电压 6.2 V

击穿电压 6.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 通信与网络, 工业, 医用, Medical, Computers & Computer Peripherals, 汽车级, -, Communications & Networking, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SD05T1G引脚图与封装图
SD05T1G引脚图
SD05T1G封装焊盘图
在线购买SD05T1G
型号: SD05T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  SD05T1G.  二极管, TVS, VRWM:5V
替代型号SD05T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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