SPD02N50C3

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SPD02N50C3概述

INFINEON  SPD02N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 560 V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3


e络盟:
INFINEON  SPD02N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 1.8A 3-Pin2+Tab TO-252


Newark:
# INFINEON  SPD02N50C3  MOSFET Transistor, N Channel, 1.8 A, 560 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,1.8A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
Cool MOS Power Transistor


SPD02N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 1.80 A

针脚数 3

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPD02N50C3
型号: SPD02N50C3
描述:INFINEON  SPD02N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

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