STGD5H60DF

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

欧时:
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

立创商城:
STGD5H60DF

e络盟:
单晶体管, IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 DPAK, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
IGBTs

Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 10A 83000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R

儒卓力:
**IGBT 600V 5A 1,95V DPAK **