SMBJ110D-M3/H参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SMBJ110D-M3/H中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 174 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 124 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SMBJ110D-M3/H

型号： SMBJ110D-M3/H

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ110D-M3/H

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SMBJ110D-M3/H

Vishay Semiconductor 威世

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