双N沟道30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO - 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
贸泽:
MOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
Win Source:
DUAL N-CHANNEL 30V - 0.018 OHM - 8A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET III POWER MOSFET
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.00 A
通道数 2
漏源极电阻 22 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 857pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free