STD5NK50Z-1

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STD5NK50Z-1概述

STMICROELECTRONICS  STD5NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V

N-Channel 500V 4.4A Tc 70W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4A


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD5NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STD5NK50Z-1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 70000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Win Source:
N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET


STD5NK50Z-1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 535pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD5NK50Z-1
型号: STD5NK50Z-1
描述:STMICROELECTRONICS  STD5NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STD5NK50Z-1
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