SDT10S60参数规格_中文资料_数据手册PDF

SDT10S60概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A DC Through Hole PG-TO220-2-2

得捷:
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2

贸泽:
肖特基二极管与整流器 Silicon Carbide Schottky Diode

艾睿:
Diode Schottky 600V 10A 2-Pin2+Tab TO-220

SDT10S60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.0 A

输出电流 ≤10.0 A

正向电压 1.7V @10A

极性 Standard

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.7V @10A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SDT10S60

描述：碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

替代型号SDT10S60