N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
N-Channel 600V 21A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
输入电容 2.54 nF
栅电荷 84.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 2400pF @50VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STF25NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF26NM60N 意法半导体 | 类似代替 | STF25NM60N和STF26NM60N的区别 |
STF26NM60N-H 意法半导体 | 类似代替 | STF25NM60N和STF26NM60N-H的区别 |
STFI26NM60N 意法半导体 | 功能相似 | STF25NM60N和STFI26NM60N的区别 |