SMBJ11C参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ11C概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

19.11V 夹子 33A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

得捷:
TVS DIODE 11VWM 19.11VC DO214AA

SMBJ11C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 11.0 V

工作电压 11 V

额定功率 600 W

击穿电压 12.2 V

钳位电压 18.2 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 11.57 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SMBJ11C引脚图与封装图

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型号： SMBJ11C

描述：硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors