SFT1202-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

SFT1202-E概述

高压开关的应用 High-Voltage Switching Applications

Bipolar BJT Transistor NPN 150V 2A 140MHz 1W Through Hole TP

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SFT1202-E中文资料参数规格

技术参数

频率 140 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SFT1202-E

型号： SFT1202-E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高压开关的应用 High-Voltage Switching Applications

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替代型号SFT1202-E

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SFT1202-E ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
SFT12 三洋	功能相似	SFT1202-E和SFT12的区别

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ON Semiconductor 安森美

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