SI7461DP-T1-GE3

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SI7461DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7461DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 14.4A, SOIC, 整卷

The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

e络盟:
The SI7461DP-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 60 V 0.00625 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - POWERPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7461DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -4.5 V, -3 V


SI7461DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0115 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids -14.4 A

上升时间 20 ns

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7461DP-T1-GE3
型号: SI7461DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7461DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -60V, 14.4A, SOIC, 整卷
替代型号SI7461DP-T1-GE3
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