SI4378DY-T1-E3

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SI4378DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 65 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4378DY-T1-E3
型号: SI4378DY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4378DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V 新

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