SI4456DY-T1-E3

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SI4456DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 33.0 A

输入电容Ciss 5670pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4456DY-T1-E3
型号: SI4456DY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4456DY-T1-E3  晶体管, N沟道

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