VISHAY SI4490DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
The is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
- .
- Halogen-free
贸泽:
MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 N沟道 200 V 0.08 Ω 42 nC 表面贴装 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4490DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 2.85 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4490DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4490DY-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI4490DY-T1-GE3和SI4490DY-T1-E3的区别 |