SI7613DN-T1-GE3

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SI7613DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0072 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52.1 W

输入电容Ciss 2620pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 3800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7613DN-T1-GE3
型号: SI7613DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7613DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1 V
替代型号SI7613DN-T1-GE3
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