SI4114DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 3700pF @10VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI4114DY-T1-GE3
型号： SI4114DY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4114DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 20A, SOIC, 整卷