SI7489DP-T1-GE3

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SI7489DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7489DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 28A, SOIC, 整卷

The is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
Si7489DP 系列 100 V 0.041 Ohm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7489DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -4.5 V, -3 V


SI7489DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5.2 W

漏源极电压Vds -100 V

连续漏极电流Ids -28.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7489DP-T1-GE3
型号: SI7489DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7489DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 28A, SOIC, 整卷
替代型号SI7489DP-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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