SI7866ADP-T1-GE3

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SI7866ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7866ADP-T1-GE3
型号: SI7866ADP-T1-GE3
描述:MOSFET 20V 40A 83W 2.4mohm @ 10V

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