SUM110N10-09-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUM110N10-09-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 437.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 110 A

上升时间 125 ns

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SUM110N10-09-E3

型号： SUM110N10-09-E3

描述：VISHAY SUM110N10-09-E3. 场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263

替代型号SUM110N10-09-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUM110N10-09-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFS4310PBF 英飞凌	功能相似	SUM110N10-09-E3和IRFS4310PBF的区别
BUK7613-100E 恩智浦	功能相似	SUM110N10-09-E3和BUK7613-100E的区别

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SUM110N10-09-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

IRFS4310PBF

英飞凌

功能相似

BUK7613-100E

恩智浦

功能相似