SQM200N04-1M1L-GE3

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SQM200N04-1M1L-GE3概述

N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Package with low thermal resistance
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQM200N04-1M1L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.0008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 16524pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 9.652 mm

高度 4.826 mm

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQM200N04-1M1L-GE3
型号: SQM200N04-1M1L-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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