SIHP22N65E-GE3

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SIHP22N65E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 227 W

阈值电压 4 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 33 ns

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHP22N65E-GE3
型号: SIHP22N65E-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3Pin3+Tab TO-220AB

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