SI6415DQ-T1-GE3

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SI6415DQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

上升时间 17 ns

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6415DQ-T1-GE3
型号: SI6415DQ-T1-GE3
描述:P-Channel 30V 19mΩ 47NC SMT TrenchFET® Power Mosfet - TSSOP-8

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