SIHG70N60EF-GE3

SIHG70N60EF-GE3图片1
SIHG70N60EF-GE3图片2
SIHG70N60EF-GE3图片3
SIHG70N60EF-GE3图片4
SIHG70N60EF-GE3图片5
SIHG70N60EF-GE3图片6
SIHG70N60EF-GE3图片7
SIHG70N60EF-GE3图片8
SIHG70N60EF-GE3图片9
SIHG70N60EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 107 ns

输入电容Ciss 7500pF @100VVds

下降时间 123 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHG70N60EF-GE3
型号: SIHG70N60EF-GE3
描述:N 通道 MOSFET,带快速二极管,EF 系列,Vishay Semiconductor 减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流 低品质因数 FOM 低输入电容 Ciss 由于低反向恢复电荷,提高了坚固性 超低栅极电荷 Qg ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台