VISHAY SI7850DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
The is a 60V N-channel fast switching TrenchFET® Power MOSFET with low thermal resistance and low 1.07mm profile. Suitable for secondary synchronous rectifier and primary side switch for 24VDC/DC applications.
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- ±20V Gate-source voltage
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- Halogen-free
e络盟:
VISHAY SI7850DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10.3A, SOIC-8, 整卷
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N 沟道 60 V 22 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7850DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 10.3 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.3 A
上升时间 10 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 4.9 mm
宽度 5.89 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7850DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFH5406TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI7850DP-T1-E3和IRFH5406TRPBF的区别 |
SI7850DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7850DP-T1-E3和SI7850DP-T1-GE3的区别 |