STI19NM65N

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STI19NM65N概述

N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

N-Channel 650V 15.5A Tc 150W Tc Through Hole I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK


STI19NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 15.5A

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI19NM65N
型号: STI19NM65N
描述:N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
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