SI3437DV-T1-E3

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SI3437DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.61 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -1.40 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI3437DV-T1-E3
型号: SI3437DV-T1-E3
描述:P沟道150 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 150-V D-S MOSFET

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