SIA906EDJ-T1-GE3

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SIA906EDJ-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Allied Electronics:
SIA906EDJ-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, 20 V, 6-Pin SC-70


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
双 N 沟道 20 V 0.046 Ω 3.5 nC 功率 Mosfet - PowerPAK SC-70-6L 双


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA906EDJ-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.5 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 600 mV


SIA906EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 350pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 7.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 2.15 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA906EDJ-T1-GE3
型号: SIA906EDJ-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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