SI6433BDQ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI6433BDQ-T1-E3图片1

SI6433BDQ-T1-E3图片2

SI6433BDQ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -4.80 A

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6433BDQ-T1-E3

型号： SI6433BDQ-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 12V 4A 8Pin TSSOP T/R