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SPP80N06S2-H5概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

SPP80N06S2-H5中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 5.50 nF

栅电荷 155 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPP80N06S2-H5

型号： SPP80N06S2-H5

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPP80N06S2-H5

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPP80N06S2-H5 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
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