SIA911ADJ-T1-GE3

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SIA911ADJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1800 mW

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 345pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA911ADJ-T1-GE3
型号: SIA911ADJ-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R

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