SI6913DQ-T1-E3

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SI6913DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 830 mW

上升时间 80 ns

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6913DQ-T1-E3
型号: SI6913DQ-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8Pin TSSOP T/R

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