SI4814BDY-T1-E3

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SI4814BDY-T1-E3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8Pin SOIC N T/R

Surface Mounting and SO-8 Package Dual N-Channel 30 V Voltage D-S Power MOSFET

* Current drain is 10 A channel1, 10.5 A channel2

* Operating and storage temperature is -55 °C to +150 °C

Resistance drain to source on 0.0145 Ohms channel1, 0.015 Ohms channel2. Power dissipation is 3.3 W channel1, 3.5 W channel2.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; Dual N-Channel; 0.0145 Ohms Channel1, 0.015 Ohms Channel2


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8-Pin SOIC N T/R


SI4814BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 10.5 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4814BDY-T1-E3
型号: SI4814BDY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A/7.8A 8Pin SOIC N T/R

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