SI7956DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7956DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 4.10 A

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7956DP-T1-E3

型号： SI7956DP-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8Pin PowerPAK SO T/R