SPD15P10P G概述
INFINEON SPD15P10P G 晶体管, 射频FET, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
The is a -100V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
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- Enhancement mode
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- Avalanche rated
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- dv/dt Rated
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- AEC-Q101 qualified
SPD15P10P G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 128 W
上升时间 23 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Electronics, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SPD15P10P G
型号： SPD15P10P G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON SPD15P10P G 晶体管, 射频FET, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252