SI1869DH-T1-GE3

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SI1869DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

通道数 2

耗散功率 1000 mW

输出电流Max 1.2 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

输入电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1869DH-T1-GE3
型号: SI1869DH-T1-GE3
描述:MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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