SSM3J16FSTE85L,F

SSM3J16FSTE85L,F图片1
SSM3J16FSTE85L,F图片2
SSM3J16FSTE85L,F图片3
SSM3J16FSTE85L,F图片4
SSM3J16FSTE85L,F图片5
SSM3J16FSTE85L,F概述

TOSHIBA  SSM3J16FSTE85L,F  晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -20 V, 8 ohm, -4 V, 1.1 V

The is a P-channel enhancement-mode Silicon MOSFET suitable for high speed switching and analogue switch applications.

.
Small package
.
Low ON-resistance
.
150°C Operating temperature

Using continuously under heavy loads may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions are within the absolute maximum ratings.

SSM3J16FSTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 100 mW

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 100 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 -

外形尺寸

封装 -

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SSM3J16FSTE85L,F
型号: SSM3J16FSTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  SSM3J16FSTE85L,F  晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -20 V, 8 ohm, -4 V, 1.1 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台