射频微波晶体管108-152兆赫的应用 RF MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHZ APPLICATIONS
RF NPN 35V 1A 150MHz 13W 底座安装 M113
得捷: RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113
艾睿: Trans RF BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M113
耗散功率 13000 mW
击穿电压集电极-发射极 35 V
增益 10 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @200mA, 5V
额定功率Max 13 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 13000 mW
引脚数 4
封装 M113
高度 7.11 mm
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册