SGB02N120ATMA1

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SGB02N120ATMA1概述

单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚

IGBT NPT 1200 V 6.2 A 62 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2


得捷:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3


e络盟:
单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263 D2PAK, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


SGB02N120ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 62 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 62 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SGB02N120ATMA1引脚图与封装图
SGB02N120ATMA1引脚图
SGB02N120ATMA1封装焊盘图
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型号: SGB02N120ATMA1
描述:单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚

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